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簡要描述:介質(zhì)損耗測試儀AT-C介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀滿足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻
、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀概述GDAT高頻 Q 表作為一代的通用、多用途、多量程的阻抗測試儀器,測試頻率上限達到目前國內(nèi)Z高的160MHz。相關(guān)文章
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介質(zhì)損耗測試儀AT-C
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀滿足標準:GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻 GDAT高頻 Q 表作為一代的通用 雙掃描技術(shù) - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描 搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用 BD916介質(zhì)損耗測試裝置與本公司生產(chǎn)的各款高頻Q表配套,可用于測量絕緣材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗系數(shù)(損耗角正切值) 平板電容器: 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選 郵箱:625215723@qq.com 地址:天津市武清區(qū)曹子里鎮(zhèn)正興道5號 客戶服務(wù)號 微信個人號
一、介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀概述
GDAT高頻 Q 表采用了多項技術(shù):
雙測試要素輸入 - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入
雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧
自動化測量技術(shù) -對測試件實施 Q 值
全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感
DDS 數(shù)字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真
計算機自動修正技術(shù)和測試回路*化 —使測試回路 殘余電感減至zui低,** Q 讀數(shù)值在不同頻率時要加以修正的困惑
gdat高頻Q表的創(chuàng)新設(shè)計
一
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)是各種電瓷、裝置瓷
該儀器用于科研機關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
主要技術(shù)特性
Q 值測量范圍 2 ~ 1023 , 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動換檔或手動換檔
固有誤差 ≤ 5 % ± 滿度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)
工作誤差 ≤7% ± 滿度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz )
電感測量范圍 4.5nH ~ 140mH
電容直接測量范圍 1 ~ 200pF
主電容調(diào)節(jié)范圍 18 ~ 220pF
主電容調(diào)節(jié)準確度 100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 %
信號源頻率覆蓋范圍 100kHz ~ 160MHz
頻率分段 ( 虛擬 ) 100 ~ 999.999kHz
頻率指示誤差 3 × 10 -5 ± 1 個字
一 . 概述
BD916介質(zhì)損耗測試裝置是BD916914的換代產(chǎn)品
測試裝置由一個LCD數(shù)字顯示微測量裝置和一對間距可調(diào)的平板電容器極片組成。
平板電容器極片用于夾持被測材料樣品
BD916介質(zhì)損耗測試裝置須配用Q表作為調(diào)諧指示儀器,通過被測材料樣品放進平板電容器和不放進樣品時的Q值變化
從平板電容器平板間距的讀值變化則可換算得到絕緣材料介電常數(shù)。
BD916介質(zhì)損耗測試裝置技術(shù)特性
極片間距可調(diào)范圍:≥15mm
2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz)
4.測微桿分辨率:0.001mm
電感:
線圈號 測試頻率 Q值 分布電容p 電感值
9 100KHz 98 9.4 25mH
8 400KHz 138 11.4 4.87mH
7 400KHz 202 16 0.99mH
6 1MHz 196 13 252μH
5 2MHz 198 8.7 49.8μH
4 4.5MHz 231 7 10μH
3 12MHz 193 6.9 2.49μH
2 12MHz 229 6.4 0.508μH
1 25MHz